AVX鉭電容TAJD685K050RNJ 規(guī)格6.8UF 50V 7343-43 10% 起訂量小包裝 AVX鉭電容的鉭芯表面都會覆蓋著一層五氧化二鉭薄膜的電介質(zhì)，這層人質(zhì)是選用陽極化技能，由厚5nm~10nm的N型氧化鉭層和五氧化二鉭純半導(dǎo)體層復(fù)合而成。其厚度與陽極化電壓成比例，也是抉擇了KEMET鉭電容耐壓值的大小。一般來說用于6V電池應(yīng)用的KEMET鉭電容而言，鉭電容的五氧化二鉭薄膜層厚度為0.04微米或許40納米。    超大容量的片式多層陶瓷電容器則選用澆覆厚度為2.0微米的陶瓷電介質(zhì)薄層的方法來制作，這樣比鉭電容的要厚得多。片式多層陶瓷電容器選用層疊技能，畢竟制作出多層電容。與鉭電容一樣，片式多層陶瓷電容器的電介質(zhì)層厚度抉擇了額外電壓，電介質(zhì)層數(shù)抉擇了容量。介電常數(shù)的區(qū)別致使了IR的無窮不同。   AVX鉭電容的漏電流會由于正極表面的機械損壞或許氧化層表面的分裂而上升。正極的表面面歸于易損有些，遭到熱、機械和電氣作用的一同影響。表面漏電流會受濕度的影響，并致使長期工作的不穩(wěn)定。    改進鉭芯的生產(chǎn)技能，非常好地操控氧化物層的厚度，可以協(xié)助消除鉭電容表面漏電流疑問。在鉭芯的表面面生成較厚的電介質(zhì)薄膜，防止其遭到機械損壞，然后大幅改進漏電流功能，下降漏電流.除了改進鉭電容的正極結(jié)構(gòu)，與聚合物負極結(jié)構(gòu)對比，鉭電容的二氧化錳負極結(jié)構(gòu)具有更為的漏電流功能，因該資料有非常好的導(dǎo)電性。深圳市上美佳電子有限公司     -833 史小姐 QQ1327316028