人體和設(shè)備所攜帶的靜電向整機(jī)及電子元件放電時(shí)，由于增加了沖擊性的電磁能量，則產(chǎn)品必須具備一定量ESD耐力。
ESD耐性測(cè)試方法根據(jù)產(chǎn)生靜電的模型，分為以下三種：①HBM、②MM、③CDM。
其中，我們?yōu)槟f明一般較多用作電容器ESD耐性測(cè)試方法的①HBM。
HBM的ESD測(cè)試規(guī)格有AEC-Q200-002和IEC61000-4-2等，HBM模型常熟如下表所示因規(guī)格有所不同。
| 規(guī)格名 | 充電用電容器 Cd（pF）
| 放電用電阻
Rd （Ω）
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|---|---|---|
| AEC-Q200-002 | 150 | 2000 |
| IEC61000-4-2 | 150 | 330 |
AEC-Q200-002HBM的ESD測(cè)試電路及放電電流波形如圖1、圖2所示。
| （i）
| 開關(guān)2為斷開狀態(tài)，開關(guān)1閉合，施加高壓電源，充電用電容器（Cd）存儲(chǔ)電量。
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| （ii）
| 開關(guān)1斷開，開關(guān)2閉合，電對(duì)測(cè)試對(duì)象電容器（Cx）施加Cd存儲(chǔ)的電量，進(jìn)行測(cè)試。
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| ※
| Cx：測(cè)試對(duì)象電容器 Cd：充電用電容器 Rd：放電用電阻 Rc：保護(hù)電阻
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圖1.HBM的ESD測(cè)試電路
圖2.放電電流波形
根據(jù)AEC-Q200-002，HBM的ESD測(cè)試流程如圖3所示，級(jí)分類如表1所示。根據(jù)圖3的流程進(jìn)行測(cè)試，耐電壓的分級(jí)如表1所示進(jìn)行分類。
圖3.HBM的ESD測(cè)試流程
表1.HBM的ESD測(cè)試流程
| 分類 | 耐電壓 |
|---|---|
| 1A | 500V（DC）以下 |
| 1B | 0.5kV（DC）以上 1kV（DC）以下 |
| 1C | 1kV（DC）以上 2kV（DC）以下 |
| 2 | 2kV（DC）以上 4kV（DC）以下 |
| 3 | 4kV（DC）以上 6kV（DC）以下 |
| 4 | 6kV（DC）以上 8kV（DC）以下 |
| 5A | 8kV（DC）以上 12kV（AD）以下 |
| 5B | 12kV（AD）以上 16kV（AD）以下 |
| 5C | 16kV（AD）以上 25kV（AD）以下 |
| 6 | 25kV（AD）以上 |
DC：直流接觸放電 AD：空氣放電
電容器靜電容量與ESD耐性的關(guān)系
測(cè)試對(duì)象電容器的靜電容量對(duì)電容器兩端產(chǎn)生的電壓有影響。
圖4.HBM的ESD測(cè)試電路
測(cè)試對(duì)象電容器的靜電容量（Cx）和兩端產(chǎn)生的電壓（Vx）有如下關(guān)系。
電源電壓（Vd）及充電用電容器的靜電容量（Cd）恒定時(shí)，測(cè)試對(duì)象電容器的靜電容量（Cx）越大，測(cè)試對(duì)象電容器兩端產(chǎn)生的電壓（Vx）越小。
因此一般的測(cè)試對(duì)象電容器靜電容量越大，ESD耐性有變大的趨勢(shì)。
實(shí)際上，如電介質(zhì)的種類及厚度之類的設(shè)計(jì)上的差異，耐電壓的性能范圍也有不同，并非所有的都如上述的趨勢(shì)一樣。
（參考數(shù)據(jù)）多層陶瓷電容器（GCM系列）的ESD耐性
展示了多層陶瓷電容器（GCM系列）的ESD耐性參考數(shù)據(jù)。
| 對(duì)象產(chǎn)品 | GCM系列/0402inch尺寸/X7R特性/50V |
|---|---|
| 測(cè)試條件 | 充電用電容器 = 150pF 放電電阻 = 2000Ω 施加電壓次數(shù) = 正負(fù)極各5次 樣品數(shù) = 各10個(gè)
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| 測(cè)量器 | ESD測(cè)試機(jī)（噪聲研究所）
?本體 ... ESS-200AX ?放電槍 ... Model TC-815D |
| 樣品狀態(tài) | 覆蓋硅樹脂以防表面泄露 |
| 周圍環(huán)境 | 22±5℃、30～60%RH |
| 判定標(biāo)準(zhǔn) | 絕緣電阻 1MΩ |
圖5. 高介電常數(shù)型電容器的ESD測(cè)試結(jié)果（Vd=25kV為測(cè)量范圍）
