1.芯片多層陶瓷電容器的性能和芯片EMIFIL NFM系列（以下簡稱“電容器”）可能會受到儲存條件的影響。請在發(fā)貨后及時使用。
1-1。使用保持電容器的適當(dāng)存儲以下條件：室溫為+5至+ 40°C，相對濕度20％至70％。高溫和高濕條件和/或長期儲存可能會導(dǎo)致惡化包裝材料。如果超過六個月了自交貨以來經(jīng)過，檢查包裝，安裝，等使用前。另外，這可能導(dǎo)致電極氧化。如果交付后已經(jīng)過去一年以上使用前檢查可焊性。
1-2。腐蝕性氣體可與終端反應(yīng)（外部）電極或電容器的引線，和導(dǎo)致可焊性差。不要存放電容器在腐蝕性氣氛中氣體（如硫化氫，二氧化硫，氯，氨氣等）。
1-3。由于水分凝結(jié)迅速引起濕度變化，或光化學(xué)變化由直射陽光引起的終端電極和/或樹脂/環(huán)氧樹脂涂層，可焊性和電氣性能可能會惡化。不要存儲陽光直射或高濕度下的電容器條件。
2.溫度相關(guān)特性
1.電容器的電氣特性會發(fā)生變化隨著溫度。
1-1。 適用于溫度較高的電容器依賴性，電容可能隨之變化溫度變化。建議采取以下措施確保合適的電容值。
�。�1）為操作選擇合適的電容溫度范圍。
�。�2）電容可能在額定值內(nèi)變化溫度。
使用高介電常數(shù)型時需要緊密（窄）的電路中的電容器電容容差（例如，時間常數(shù)電路），請仔細(xì)考慮溫度特點(diǎn)，并仔細(xì)確認(rèn)各種在實(shí)際使用條件和特點(diǎn)實(shí)際系統(tǒng)。
3.電容測量
1.用電壓和頻率測量電容產(chǎn)品規(guī)格中規(guī)定。
1-1。 測量設(shè)備的輸出電壓可以電容高時偶爾會減少。請確認(rèn)是否有規(guī)定的測量值電壓施加在電容上。
1-2。 高介電常數(shù)的電容值型電容器根據(jù)交流電壓而變化應(yīng)用。 請考慮交流電壓選擇要使用的電容器時的特性在交流電路中。
4.施加電壓和施加電流
1.請勿對電容器施加超過電壓的電壓額定電壓如規(guī)范中所述。
1-1。 在電容器的端子之間施加電壓應(yīng)小于或等于額定電壓。
�。�1）當(dāng)交流電壓疊加在直流電壓上時，零到峰值電壓不得超過額定直流電壓。當(dāng)施加交流電壓或脈沖電壓時，峰峰值電壓不得超過額定值直流電壓。
（2）異常電壓（浪涌電壓，靜電電，脈沖電壓等不得超過額定直流電壓）
1-2。 過電壓的影響施加到電容器的過電壓可以導(dǎo)致電氣短路內(nèi)部介電層的擊穿。直到故障的持續(xù)時間取決于施加電壓和環(huán)境溫度。
2.在電源中使用經(jīng)過安全標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的電容器供電輸入電路（交流濾波器），因?yàn)樗彩潜匾目紤]耐受電壓和沖擊耐受性
為每個設(shè)備定義的電壓。<適用于NFM系列>
3.電容器也有額定電流。
電流在電容器的端子之間流動應(yīng)小于或等于額定電流。 使用超出此范圍的電容器可能導(dǎo)致過熱。
