在多層陶瓷電容器的規(guī)格中，只規(guī)定了絕緣電阻的下限值，本公司不會為了確保它落入某個上限和下限范圍內而進行區(qū)分篩選。
關于絕緣電阻的下限值（初始狀態(tài)及可靠性測試后），請參閱各產品的詳細規(guī)格表。
此外，由于片狀多層陶瓷電容器的設計及特性原因，絕緣電阻的值也可能會因使用環(huán)境而變化。
因此，當在動作會受到絕緣電阻值影響的電路（※）中使用片狀多層陶瓷電容器時，必須在設計階段考慮避免因絕緣電阻值的大小而導致誤動作和誤檢測。
※在諸如電池電壓監(jiān)控電路之類的設計中，直流電壓通過片狀多層陶瓷電容器的絕緣電阻值而分壓，分壓比（電容器兩端的電壓）因絕緣電阻值的增減而變化。
多層陶瓷電容器的絕緣阻抗值的規(guī)定和單位。
獨石陶瓷電容器的絕緣電阻表示當在電容器端子之間施加直流電壓 (無紋波) 時，在設定時間 (比如60秒) 之后施加電壓和漏電流之間的比率。當一個電容器絕緣電阻的理論值無窮大時，因為實際電容器的絕緣電極之間的電流流量很小，實際電阻值是有限的。上述電阻值稱為"絕緣電阻"，并用兆歐[MΩ]和歐法拉[ΩF]等單位表示。
絕緣電阻值的性能
當直流電壓直接施加在電容器后，突入電流 (也稱充電電流) 的流量如下圖1所示。隨著電容器逐漸被充電，電流呈指數降低。
圖1
電流I (t) 隨時間的增加而分為三類 (如方程 (1) 所示)，即充電電流Ic (t)、吸收電流Ia (t) 和漏電電流Ir。
I (t)=Ic (t)+Ia (t)+Ir 方程 (1)
充電電流表明電流通過一個理想的電容器。與充電電流相比，吸收電流有一個延遲過程，并且在低頻范圍內伴隨有介電損耗、造成高介電常數電容器 (鐵電性電容器) 極性相反并在陶瓷與金屬電極界面上發(fā)生肖特基障壘。
漏電電流是在吸收電流的影響降低后，在一定階段出現的常數電流。
因此，下述電流值隨施加在電容器上的時間電壓量而變化。這意味著，只有在指定電壓用途下的定時測量才能確定電容器的絕緣電阻值。
絕緣電阻值
絕緣電阻值以兆歐[MΩ]或歐姆法拉[ΩF]等單位表示。
其規(guī)定值隨電容值而改變。該值用標稱電容值和絕緣電阻的乘積 (CR的乘積) 來表示。例如: 當絕緣電阻在10,000MΩ以上時，電容為0.047μF或更小，當絕緣電阻為500ΩF時，其值大于0.047μF。
絕緣電阻值的保證
| 性能 | 性能（1） | 性能（2） |
|---|---|---|
| 標準數值 | 靜電容量C≦0.047μF 10000MΩ以上 C＞0.047μF 500ΩF以上
| 50ΩF以上 |
| 測試條件 | 測量電壓 額定電壓
充電時間 2分鐘 測量溫度 常溫 充放電電流 50mA以下
| 測定電壓 額定電壓
充電時間 1分鐘 測定溫度 常溫 充放電電流 50mA以下
|
| 計算公式范例 為1μF時
| 性能（1）的絕緣電阻值
"=500ΩF/1*10-6F" "=500Ω/1*10-6" "=500Ω*106" "=500MΩ以上"
| 性能（2）的絕緣電阻值
"=50ΩF/1*10-6F" "=50Ω/1*10-6" "=50Ω*106" "=50MΩ以上"
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|---|
| 代表容量值 | 性能（1） 絕緣電阻值
| 性能（2）
絕緣電阻值
|
|---|---|---|
| 1μF | 500MΩ以上 | 50MΩ以上 |
| 2.2μF | 227MΩ以上 | 22.7MΩ以上 |
| 4.7μF | 106MΩ以上 | 10.6MΩ以上 |
| 10μF | 50MΩ以上 | 5MΩ以上 |
| 22μF | - | 2.27MΩ以上 |
| 47μF | - | 1.06MΩ以上 |
| 100μF | - | 0.5MΩ以上 |
如上表所示，電容值越高，其絕緣電阻值越低。
其原因解釋如下: 考慮到獨石陶瓷電容器可以看作是一個導體，根據施加在其上的電壓和電流，利用歐姆定律可以計算出絕緣電阻。
絕緣電阻值R可以用方程 (2) 表示，導體的長度為L，導體的橫截面面積為S，電阻率為ρ。
R=ρ L/S 方程 (2)
同樣，電容量C可以用方程 (3) 表示，獨石陶瓷電容器兩個電極之間的距離 (電介質厚度) 用L表示，內部電極的面積用S表示，介電常數為ε。
C ∝ ε S/L 方程 (3)
方程 (4) 由方程 (2) 和方程 (3) 得出，由方程 (4) 可知R與C成反比。
R ∝ ρ ε/C 方程 (4)
絕緣電阻越大表明直流電壓下的漏電電流越小。一般情況下，絕緣電阻值越大，電路的準確性越高。
