*晶振如何提高振蕩裕量？
1. 減小外部電容
減小外部電容會(huì)增加振蕩裕量
減小外部電容會(huì)增加C-MOS逆變器輸出端的阻抗。
增加阻抗會(huì)增加振蕩電路的負(fù)阻并增加振蕩裕量。
在減小外部電容之后，請(qǐng)檢查實(shí)際振蕩頻率是否在需要的頻率范圍內(nèi)。減小外部電容會(huì)增加振蕩頻率。
2. 減小阻尼電阻
阻尼電阻會(huì)減小振蕩幅度。由于負(fù)阻增加，振蕩裕量也會(huì)增加，從而減小阻尼電阻。
在減小阻尼電阻之后，請(qǐng)檢查驅(qū)動(dòng)功率位于晶體諧振器的范圍內(nèi)，因?yàn)闇p小阻尼電阻會(huì)增加驅(qū)動(dòng)功率。
*時(shí)鐘元件 MEMS諧振器、陶瓷諧振器等生產(chǎn)工廠一覽表
