代理商3端子低ESL片狀多層陶瓷電容器NFM系列
產(chǎn)品型號(hào):NFM18PC225 | 原產(chǎn)地:日本、無錫、新加坡、 | |
品牌:MURATA/村田 | 產(chǎn)品數(shù)量:400000 | |
價(jià)格:面議 | 產(chǎn)品關(guān)鍵字:代理商 | |
行業(yè): 電子 >被動(dòng)器件電容 >片式多層陶瓷電容 | ||
發(fā)布時(shí)間:2022/11/18 17:42:02 |
企業(yè)信息
- 公司經(jīng)營(yíng)性質(zhì):貿(mào)易型
- 電話:0755-23832403-6807
- 地址:廣東深圳市公明辦事處上村社區(qū)元山工業(yè)區(qū)B區(qū)31棟首層
產(chǎn)品描述
品牌 | MURATA/村田 | 型號(hào) | NFM18PC225B1A3D |
產(chǎn)地 | 日本、無錫、新加坡、馬來西亞 | 廠家 | muRata村田 |
高速運(yùn)作的電子設(shè)備電源去耦非常適合用低ESL電容器
一般用3端子低ESL片狀多層陶瓷電容器
1. 低ESL
等效串聯(lián)電感(ESL)低,為了優(yōu)化高頻特性,電容器適合用于告訴運(yùn)作的電子設(shè)備電源去耦。
2. 有效減少元器件數(shù)量。
使用了低ESL電容器,可維持與2端子電容器相同功能,并減少元器件數(shù)量。
3. 有效靜噪作為EMI濾波器
靜噪效果例子 >
參考:「如何減少貼裝面積?-低ESL電容器的活用方法-」
1.前言
近年,以智能手機(jī)為代表的小型移動(dòng)設(shè)備中除電話功能外,還增加了數(shù)碼相機(jī)、游戲、瀏覽網(wǎng)頁、音樂播放等多項(xiàng)功能,可以設(shè)想今后還將會(huì)搭載越來越多的功能。此外,LTE等高速數(shù)據(jù)通信功能今后也將普及,視屏等大容量數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)換也會(huì)不斷增加。(請(qǐng)參照?qǐng)D1)
隨著采用高速化的CPU以及LTE通信導(dǎo)致耗電量不斷增加,由于電池容量的提高,搭載了電子元器件的主板體積出現(xiàn)減小的傾向。
另外,伴隨著高性能化,安裝在主板上的電子元器件數(shù)目也有不斷增加的趨勢(shì)。
特別是處理大容量數(shù)據(jù)的被稱為應(yīng)用處理器的IC電源中,平均一個(gè)IC使用了大約數(shù)十個(gè)MLCC(Multi-Layer Ceramic Capacitor)。
在上述背景及智能手機(jī)技術(shù)趨勢(shì)下,IC電源所使用的MLCC要求具有以下特點(diǎn)。
小型、大容量
低阻抗
圖1:智能手機(jī)的未來
2.利用低ESL電容器減少貼裝面積
作為IC電源用的MLCC來說如果正確使用于小型大容量的低ESL電容器中的話,可以減少圖2中MLCC的1/2的使用量,同時(shí)也大幅度減少了MLCC所占據(jù)的使用面積。
圖2:利用低ESL電容器減少貼裝面積
3.低ESL電容器的種類及優(yōu)勢(shì)
圖3為所示的是IC/LSI的電源線與所使用的MLCC的連接方式。
IC/LSI開關(guān)速度的高速化使IC/LSI本身很容易變成噪聲源,為了解決這種高頻噪聲和抑制電源電壓波動(dòng),如圖3所示,很多MLCC將被當(dāng)做旁路電容來使用。
在圖3中,從IC/LSI的HOT端子開始,途徑MLCC,直至IC/LSI的GND端子,電流回路所產(chǎn)生的阻抗我們?cè)诖朔Q為回路阻抗。IC/LSI的HOT-GND之間所產(chǎn)生的電源電壓波動(dòng)依賴于此回路阻抗的大小。為此,為了控制電源電壓波動(dòng),首先需要降低回路阻抗。此時(shí),MLCC的阻抗就成為回路阻抗的一部分。
為減小回路阻抗,通常需要將多個(gè)MLCC并列連接,根據(jù)并聯(lián)效果減小總阻抗。此次所使用的MLCC其構(gòu)造及等效回路如圖3右下角所示,雖為電容器,等效串聯(lián)電阻:ESR,等效串聯(lián)電感:也有ESL,而這其中的ESL是增大高頻回路電感的主要原因。
本次所介紹的低ESL電容器如后面所述,是為降低ESL而制成的MLCC的一種。通過將低ESR電容器作為旁路電容器來使用從而減小回路阻抗。此外,MLCC被ESR電容器替換后可以減少并聯(lián)使用數(shù)目,從而大幅減少數(shù)量以及貼裝面積。
圖3:IC/LSI電源線與MLCC的鏈接
接著就低ESL電容器的構(gòu)造及優(yōu)勢(shì)進(jìn)行說明。低ESL電容器有2種,即長(zhǎng)寬逆轉(zhuǎn)電容器和3端子電容器。
長(zhǎng)寬逆轉(zhuǎn)電容器的結(jié)構(gòu)如圖4中間部分所示。與一般型號(hào)的電容器的L縱向、W寬度方向相反,在縱向方向有外部電極。
通常情況下MLCC的ESL隨著電流流動(dòng)距離長(zhǎng)度的加長(zhǎng)而增加,寬幅增大時(shí)減小,因此在長(zhǎng)寬逆轉(zhuǎn)電容器的構(gòu)造中通過縮短電流距離、增大走線寬度來實(shí)現(xiàn)低ESL。
接下來就3端子電容器的構(gòu)造進(jìn)行說明(圖4下方)。在3端子電容器內(nèi)部電極構(gòu)造中,HOT貫通電極與GND貫通電極相互交替疊加。因此,當(dāng)電流朝繞行方向流動(dòng)時(shí),電流距離縮短,走線幅度增長(zhǎng),從而實(shí)現(xiàn)了低ESL。此外,3端子電容器的電流流動(dòng)路線由4條構(gòu)成,通過并列效果,更進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了低ESL。還有,電流沿著GND方向、畫面的上下方向流動(dòng)。通過電流產(chǎn)生的相互電感可進(jìn)一步獲得低ESL效果。
圖4:低ESL電容器的種類及優(yōu)勢(shì)
圖5為普通的MLCC與低ESL電容器的長(zhǎng)寬逆轉(zhuǎn)電容器、3端子電容器的頻率-阻抗特性比較。不論種類,其靜電容量都為1uF,因此,共振點(diǎn)以下的頻帶內(nèi)其幾乎顯現(xiàn)出相同的特性,但共振點(diǎn)以上的頻帶內(nèi)由于ESL的不同而顯現(xiàn)出很大差異。
如圖5所示,長(zhǎng)寬逆轉(zhuǎn)電容器的ESL為普通MLCC的1/3,3端子電容器的ESL為普通MLCC1/10左右。但需要注意的是這是電容器本身的性能比較,然而實(shí)際情況下,是貼裝在主板上使用,所以除電容器的ESL以外,還要考慮主板和組合的電感成分。
圖5:不同種類的阻抗頻率特性
4.減少元件的方法
圖6為小型大容量的低ESL電容器與MLCC阻抗頻率特性比較。長(zhǎng)寬逆轉(zhuǎn)電容器(1.0×0.6mm尺寸、4.3uF)高頻情況下的阻抗與2個(gè)MLCC(0.6×0.3mm、1uF)阻抗相同,因此2個(gè)MLCC可以用1個(gè)長(zhǎng)寬逆轉(zhuǎn)電容器替換。
3端子電容器(1.0×0.5mm尺寸、4.3uF)高頻情況下的阻抗與4個(gè)以上的MLCC阻抗相同,因此從理論上來說,4個(gè)以上的MLCC可以用1個(gè)3端子電容器替換。
圖6:減少元件的方法
圖7就使用3端子電容導(dǎo)致的MLCC削減的原理進(jìn)行說明。
為方便起見,在此我們只考慮過孔、走線及電容器的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。
。1)旁路電容中使用MLCC的事例。此時(shí)的回路阻抗會(huì)根據(jù)過孔和走線以及MLCC的電感成分達(dá)到阻抗的總值。
。2)為用1個(gè)MLCC來替換一個(gè)3端子電容器。3端子電容器比MLCC的ESL低,所以回路阻抗的總值也會(huì)減少。因此,可以抑制因回路阻抗導(dǎo)致的電壓的變動(dòng)。
圖7:回路阻抗的比較
圖8為3端子電容器的另一使用方法。
假設(shè)將旁路電容器換成3端子電容器,此時(shí),如果可以與MLCC同等的回路阻抗(電壓波動(dòng)水平相等)的話,則可僅僅將電容器的電感的差分、走線設(shè)計(jì)得長(zhǎng)點(diǎn),增加阻抗。當(dāng)利用這一線路的長(zhǎng)度,可以用1個(gè)3端子電容器將多個(gè)電源端子覆蓋。這樣,如圖8所示,可通過3端子電容器將數(shù)個(gè)旁路電容器匯集以減少元件數(shù)。此時(shí),線路長(zhǎng)度增長(zhǎng),線路部位的電感增大,但電容器變小,所以總阻抗并沒有發(fā)生變化。
不過,走線寬度如果過細(xì)或過長(zhǎng),超過電容器ESL成分的話,則效果全無。為此,為降低走線的電感成分,建議加寬走線的寬度或者在旁路電容器貼裝面上與電源組合,提高并列效果。
圖8:通過使用3端子電容器來減少M(fèi)LCC個(gè)數(shù)的示意圖5.電容器元件數(shù)目的減少案例
如今,在面向一部分智能手機(jī)的應(yīng)用IC的參考設(shè)計(jì)中,據(jù)載有100個(gè)以上的0603尺寸、1uF的MLCC用于電源的旁路電容器。
其中,在核心電源線路上并聯(lián)使用了10個(gè)以上的旁路電容器。此外的許多電源線路上也推薦2、3個(gè)電容器的并聯(lián)使用。
圖9所示是把這些電容器從MLCC轉(zhuǎn)換為低ESL電容器,減少原件數(shù)目的例子。從圖9中我們可以得知,通過使用低ESL電容器,可在維持同等回路阻抗的同時(shí),使原設(shè)計(jì)中MLCC的元件數(shù)目從100個(gè)減少至32個(gè)。也就是說,總共可能削減68個(gè)MLCC。另外,通過轉(zhuǎn)換為低ESL電容器,可以把應(yīng)用IC與其周圍的電容器所占面積減少約35m㎡。
圖9:元件數(shù)目削減與實(shí)際安裝面積削減
6.結(jié)語
合理地使用很新的小型大容量低ESL電容器,不但能把使用IC電源的MLCC元件數(shù)目減少至1/2以下,還能大幅度削減MLCC所占的實(shí)際安裝面積。今后我們也將繼續(xù)推進(jìn)小型大容量低ESL電容器的商品化,不斷為元件數(shù)目的削減和實(shí)際安裝面積削減貢獻(xiàn)力量,代理商,三端子電容代理商。
代理商3端子低ESL片狀多層陶瓷電容器NFM系列
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