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為大家詳細(xì)描述多層陶瓷電容的保存條件及應(yīng)該如何保存？
1.片狀多層陶瓷電容器和片狀EMIFIL NFM系列（以下簡稱“電容器”）的性能可能會(huì)受到存放條件的影響。請(qǐng)?jiān)诮回浐罅⒓词褂盟鼈儭?/p>
1-1。 在以下條件下，請(qǐng)為電容器保持適當(dāng)?shù)拇鎯?chǔ)：室溫為+5至+ 40°C，相對(duì)濕度為20至70％。 高溫高濕條件和或長時(shí)間存放可能導(dǎo)致包裝材料變質(zhì)。 自交貨以來已超過六個(gè)月，請(qǐng)檢查包裝，安裝等。 另外，這可能會(huì)導(dǎo)致電極氧化。如果交貨后已超過二年，使用前檢查可焊性。
1-2。 腐蝕性氣體會(huì)與終端反應(yīng)電容器的（外部）電極或引線，以及導(dǎo)致可焊性差。 不要存放腐蝕性氣體環(huán)境中的電容器氣體（例如硫化氫，二氧化硫，氯，氨氣等）。
1-3。 由于水分迅速凝結(jié)而引起濕度變化或光化學(xué)變化端子電極上直射陽光造成的和/或樹脂/環(huán)氧涂料，可焊性和電氣性能可能會(huì)下降。 不儲(chǔ)存直射陽光下或高濕度下的電容器條件。
<適用于GXM系列>
電容器表面的疏水性可能當(dāng)電容器暴露于高電壓時(shí)降低溫度長期保持不變。 務(wù)必確認(rèn)是否可以在實(shí)際使用條件和實(shí)際系統(tǒng)。
1.溫度相關(guān)特性
1.電容器的電氣特性會(huì)發(fā)生變化隨著溫度。
1-1。 對(duì)于溫度較高的電容器依賴關(guān)系，電容可能會(huì)隨溫度變化。
建議采取以下措施，以便確保合適的電容值。
�。�1）選擇合適的電容進(jìn)行操作溫度范圍。
�。�2）電容可能會(huì)在額定范圍內(nèi)變化溫度。使用高介電常數(shù)型時(shí)需要緊密的電路中的電容器（窄）電容容差（例如時(shí)間常數(shù)電路），請(qǐng)仔細(xì)考慮溫度特點(diǎn)，并仔細(xì)確認(rèn)各種實(shí)際使用條件下的特性以及實(shí)際系統(tǒng)。
2.電容的測量
1.用電壓和頻率測量電容在產(chǎn)品規(guī)格中指定。
1-1。 測量設(shè)備的輸出電壓可能電容高時(shí)偶爾會(huì)降低。請(qǐng)確認(rèn)是否有規(guī)定的量度電壓被施加到電容器上。
1-2。 高介電常數(shù)的電容值電容器根據(jù)交流電壓而變化應(yīng)用。 請(qǐng)考慮交流電壓選擇要使用的電容器時(shí)的特性在交流電路中。
3.施加電壓和施加電流
1.請(qǐng)勿對(duì)電容器施加超過規(guī)格中規(guī)定的額定電壓。
1-1。 電容器端子之間施加的電壓應(yīng)小于或等于額定電壓。
�。�1）當(dāng)交流電壓疊加在直流電壓上時(shí)，零峰電壓不得超過額定直流電壓。當(dāng)施加交流電壓或脈沖電壓時(shí)，峰值電壓不得超過額定值直流電壓。
（2）異常電壓（浪涌電壓，靜態(tài)電，脈沖電壓等）不得超過額定直流電壓
施加到直流電容器的典型電壓
�。‥：可能施加的電壓。）
1-2
過電壓的影響施加到電容器的過電壓可能會(huì)導(dǎo)致由內(nèi)部介電層的擊穿。直到發(fā)生故障的持續(xù)時(shí)間取決于
施加的電壓和環(huán)境溫度。
2.在電源中使用經(jīng)過安全標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的電容器提供輸入電路（交流濾波器），因?yàn)檫�需要考慮耐壓和沖擊耐受為每個(gè)設(shè)備定義的電壓。
<適用于NFM系列>
3.電容器也具有額定電流。電容器端子之間流動(dòng)的電流應(yīng)當(dāng)小于或等于額定電流。 使用電容器超出此范圍可能會(huì)導(dǎo)致過熱。
4.施加電壓的類型和自熱溫度
1.確認(rèn)操作條件以確保沒有大的由于持續(xù)不斷，電流流入電容器施加交流電壓或脈沖電壓。在交流電壓中使用直流額定電壓產(chǎn)品時(shí)電路或脈沖電壓電路，交流電流或脈沖電流將流入電容器； 因此檢查自熱條件。
請(qǐng)確認(rèn)電容器的表面溫度，以便溫度保持在上限內(nèi)工作溫度，包括由于溫度升高自行加熱。 當(dāng)電容器與高頻電壓或脈沖電壓，可能會(huì)發(fā)熱由介電損耗產(chǎn)生。
<適用于小于100VDC的額定電壓>
1-1。 應(yīng)控制負(fù)載，以使容器自發(fā)熱電容器本體保持低于20°C，在25°C的環(huán)境溫度下測量。
<適用于溫度特性X7R（R7），X7T（D7），X7T（W0）超過200VDC的額定電壓>
1-2。 應(yīng)控制負(fù)載，以便自熱當(dāng)電容器本體的溫度保持在20°C以下時(shí)在25°C的環(huán)境溫度下測量。 在此外，使用直徑小于0.1mm的K熱電偶測量時(shí)的熱容量，并在輻射沒有影響的情況其他組件的熱量或由對(duì)流。 熱量過多可能導(dǎo)致的特性和可靠性下降電容器。 （不要執(zhí)行測量在冷卻風(fēng)扇運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，可能無法執(zhí)行測量。）
<適用于溫度特性U2J（7U），C0G（5C）超過200VDC的額定電壓>
1-3。由于在低損耗系列中自發(fā)熱低，因此相較于常見的X7R（R7）特性。但是，當(dāng)自熱為20°C的負(fù)載為在額定電壓下施加時(shí)，允許功率被超越。當(dāng)電容器用于1kHz以上的高頻電壓電路施加電壓的頻率應(yīng)小于500kHz正弦波（產(chǎn)品小于100kHz額定電壓為DC3.15kV），以限制電壓負(fù)載，以便負(fù)載保持在降額范圍內(nèi)如下圖所示。在非正弦的情況下高頻成分超過基頻可以包括在內(nèi)。在這種情況下，請(qǐng)聯(lián)系*。過度產(chǎn)生熱量可能會(huì)導(dǎo)致性能下降和電容器的可靠性。（不要在冷卻風(fēng)扇正在運(yùn)行，以進(jìn)行測量可能無法執(zhí)行。）
接下篇~
